Почему напряжение VBE отличается для разных типов транзисторов?

Примеры ответов Нейро на вопросы из разных сфер

Что такое Нейро?

Главная / Наука и образование / Почему напряжение VBE отличается для разных типов транзисторов?

Вопрос для Нейро

28 марта

#Транзисторы #Напряжение #Vbe #Физика #Электроника

Почему напряжение VBE отличается для разных типов транзисторов?

Нейро

На основе 5 источников

ru.wikipedia.org

Умножитель напряжения база-эмиттер — Википедия

ru.ruwiki.ru

Умножитель напряжения база-эмиттер — Рувики: Интернет-энциклопедия

electronics.stackexchange.com

усилитель - Почему значение Vbe равно 0,7 для транзистора в активной области? - Электротехнический стек обмена

ru.fmuser.net

Типы транзисторов - BJT, FET, JFET, MOSFET, IGBT и специальные транзисторы-Electron-FMUSER Универсальный поставщик FM / TV Broadcast

ingeneryi.info

Биполярный транзистор. » Блог: Интересные статьи Рунета » Портал инженера

Напряжение VBE отличается для разных типов транзисторов, потому что тип устройства определяет требования к напряжению смещения и его температурному коэффициенту. 1 2
Некоторые примеры:
Кремниевый биполярный транзистор: напряжение смещения между базой и эмиттером (Vbe) составляет 0,5–0,8 В. 1 2
МДП-транзистор с вертикальным каналом: напряжение смещения между затвором и истоком — от 1,7 до 4 В. 2
МДП-транзистор с горизонтальным каналом: напряжение смещения между затвором и истоком — около 0,7 В. 1 2
Кроме того, значение VBE для конкретного транзистора не является постоянным: оно меняется в зависимости от температуры и тока, проходящего через переход. 3

Найти в Поиске

Ответ сформирован YandexGPT на основе текстов выбранных сайтов. В нём могут быть неточности.

Примеры полезных ответов Нейро на вопросы из разных сфер. Вопросы сгенерированы нейросетью YandexGPT для актуальных тем, которые определяются на базе обобщённых запросов к Нейро.

Пожаловаться на контент

Пользовательское соглашение

Связаться с нами

Задать новый вопрос

Что такое Поиск с Нейро?