Запирающий слой образуется на границе полупроводников p- и n-типа из-за процесса диффузии. 3 При контакте двух полупроводников начинается переход: дырки из p-области переходят в n-область, а электроны, наоборот, из n-области в p-область. 3

В результате в n-области вблизи зоны контакта уменьшается концентрация электронов и возникает положительно заряженный слой. 3 В p-области уменьшается концентрация дырок и возникает отрицательно заряженный слой. 3

Таким образом, на границе полупроводников образуется двойной электрический слой, поле которого препятствует процессу диффузии электронов и дырок навстречу друг другу. 3

Запирающим слоем называют двойной слой разноименных электрических зарядов, который создаёт на p-n-переходе электрическое поле, препятствующее свободному разделению зарядов. 5