Почему MOSFET транзисторы более уязвимы к пробоям, чем JFET?

MOSFET-транзисторы более уязвимы к пробоям, чем JFET, из-за особенностей конструкции. www.learningaboutelectronics.com

В MOSFET между затвором и каналом источника и стока расположен изолятор из оксида металла. www.learningaboutelectronics.com Он обеспечивает дополнительную изоляцию и повышает входное сопротивление. www.learningaboutelectronics.com Однако у этого есть и минус: снижается ёмкость затвора. www.learningaboutelectronics.com

Если на затворе некоторых типов MOSFET накапливается слишком много статического электричества, то накопленный заряд может прорваться через затвор и уничтожить транзистор. www.learningaboutelectronics.com Некоторые MOSFET-транзисторы имеют дополнительную защиту от этого, но не все. www.learningaboutelectronics.com

JFET, в свою очередь, менее подвержен повреждениям, так как обладает высокой входной ёмкостью. www.tutorialspoint.com