MOSFET-транзисторы более уязвимы к пробоям, чем JFET, из-за особенностей конструкции. 1

В MOSFET между затвором и каналом источника и стока расположен изолятор из оксида металла. 1 Он обеспечивает дополнительную изоляцию и повышает входное сопротивление. 1 Однако у этого есть и минус: снижается ёмкость затвора. 1

Если на затворе некоторых типов MOSFET накапливается слишком много статического электричества, то накопленный заряд может прорваться через затвор и уничтожить транзистор. 1 Некоторые MOSFET-транзисторы имеют дополнительную защиту от этого, но не все. 1

JFET, в свою очередь, менее подвержен повреждениям, так как обладает высокой входной ёмкостью. 3