Почему концентрация носителей заряда в примесных полупроводниках может отличаться на несколько порядков?

Концентрация носителей заряда в примесных полупроводниках может отличаться на несколько порядков из-за влияния примесей, которые могут быть донорными (отдающими) и акцепторными (принимающими). ru.wikipedia.org

Донорные примеси обеспечивают образование свободных электронов без возникновения равного количества подвижных дырок. ege-study.ru ru.wikipedia.org Например, при введении в кремний пятивалентного мышьяка, который является донорной примесью, основными носителями заряда становятся свободные электроны, а неосновными — дырки. ege-study.ru В таком полупроводнике концентрация свободных электронов намного превышает концентрацию дырок. ege-study.ru

Акцепторные примеси, в свою очередь, захватывают электроны полупроводника и создают подвижные дырки, не увеличивая при этом числа электронов проводимости. ru.wikipedia.org Основные носители заряда в таком полупроводнике — дырки, а неосновные — электроны. ru.wikipedia.org Полупроводники, у которых концентрация дырок превышает концентрацию электронов проводимости, называются полупроводниками р-типа. ru.wikipedia.org

Таким образом, изменяя концентрацию примесей, можно значительно увеличивать число носителей зарядов того или иного знака и создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей. ru.wikipedia.org