Концентрация неосновных носителей заряда в полупроводниках обычно мала по нескольким причинам:

• Увеличение концентрации основных носителей заряда. 1 С ростом концентрации основных носителей заряда возрастает роль рекомбинаций, что приводит к уменьшению концентрации неосновных носителей. 1
• Влияние температуры. 1 При температуре ниже рабочего диапазона концентрация неосновных носителей заряда ничтожно мала. 1 Основную роль здесь играет понижение концентрации основных носителей заряда из-за уменьшения количества ионизированных атомов примеси. 1
• Действие электрического поля. 4 В области перехода энергетические уровни расположены наклонно, что создаёт электрическое поле, которое выталкивает подвижные носители заряда из перехода. 4 По этой причине концентрация электронов и дырок в переходе очень низка. 4