Концентрация неосновных носителей заряда увеличивается при повышении обратного напряжения в p-n-переходе из-за явления экстракции. 35

При подаче обратного напряжения увеличивается потенциальный барьер, так как напряжённость внешнего электрического поля совпадает с направлением напряжённости внутреннего электрического поля. 3 В результате уменьшается число основных носителей заряда, способных его преодолеть, и ток диффузии уменьшается. 3

Однако для неосновных носителей, то есть для дырок в n-области и для электронов в р-области, потенциальный барьер в p-n-переходе отсутствует. 5 Неосновные носители заряда втягиваются электрическим полем в p-n-переход и проходят через него в соседнюю область — происходит экстракция. 5