Почему избыточная энергия при рекомбинации в полупроводниках может идти на образование фононов?

Примеры ответов Нейро на вопросы из разных сфер

Что такое Нейро?

Главная / Наука и образование / Почему избыточная энергия при рекомбинации в полупроводниках может идти на образование фононов?

Вопрос для Нейро

7 мая

#Физика #Полупроводники #Рекомбинация #Энергия #Фононы

Почему избыточная энергия при рекомбинации в полупроводниках может идти на образование фононов?

Нейро

На основе 5 источников

en.wikipedia.org

Генерация и рекомбинация носителей - Abcdef . Wiki

lib.kgeu.ru

Физические явления в полупроводниках : учебно - методическое

studizba.com

Пасынков.Полупроводниковые приборы (1084497) страница 2

ru.wikipedia.org

Оже-рекомбинация — Википедия

bigenc.ru

Рекомбинация носителей заряда. Большая российская энциклопедия

Избыточная энергия при рекомбинации в полупроводниках может идти на образование фононов (квантов тепловой энергии) при безызлучательной (фононной) рекомбинации. 3
В этом процессе избыточная энергия электрона передаётся кристаллической решётке полупроводника путём возбуждения её колебаний. 3 5

Найти в Поиске

Ответ сформирован YandexGPT на основе текстов выбранных сайтов. В нём могут быть неточности.

Примеры полезных ответов Нейро на вопросы из разных сфер. Вопросы сгенерированы нейросетью YandexGPT для актуальных тем, которые определяются на базе обобщённых запросов к Нейро.

Пожаловаться на контент

Пользовательское соглашение

Связаться с нами

Задать новый вопрос

Что такое Поиск с Нейро?