Почему фотоэлектрическая эффективность p-n перехода повышается с увеличением интенсивности освещения?

Фотоэлектрическая эффективность p-n перехода повышается с увеличением интенсивности освещения из-за увеличения концентрации электронно-дырочных пар в полупроводнике. 4

Это происходит благодаря внутреннему фотоэффекту, при котором под действием света происходит перераспределение электронов по энергетическим уровням. 3 В результате появляется дополнительная пара носителей зарядов — электрон и дырка, что приводит к увеличению электропроводности вещества. 3

В результате диффузии электроны и дырки перемещаются к контактному переходу, где происходит их разделение: основные носители области задерживаются контактным полем, неосновные — ускоряются и свободно проходят через p-n переход, образуя фототок. 3

При очень большой интенсивности света, когда потенциальный барьер оказывается практически нулевым, величина фотоЭДС выходит на «насыщение» и становится равной высоте барьера на неосвещённом p-n переходе. 5