Электропроводность полупроводников зависит от ширины запрещённой зоны, потому что ширина запрещённой зоны определяет концентрацию собственных носителей заряда и, следовательно, собственную проводимость полупроводника. 4

Запрещённая зона — область энергий между верхним уровнем (потолком) валентной зоны и нижним уровнем (дном) зоны проводимости. 4 Электроны ограничены рядом энергетических зон и им запрещено входить в другие области, поскольку для них не существует допустимых электронных состояний. 3

Чем шире запрещённая зона, тем меньше количество электронов, которые смогут проникнуть из валентной зоны в зону проводимости, тем меньше проводимость кристалла. 1

Если ширина запрещённой зоны много больше энергии теплового движения электронов, определяемой температурой, то электроны не могут перейти в зону проводимости. 5 Такой кристалл является диэлектриком. 5

Если запрещённая зона достаточно узкая, то переброс электронов из валентной зоны в зону проводимости может быть осуществлён сравнительно легко даже путём теплового возбуждения, то кристалл является полупроводником. 5