Биполярные транзисторы в режиме насыщения используются в схемах на высоких частотах, потому что в этом режиме выходной ток не зависит от входного и определяется параметрами нагрузки. 1 Из-за возникающей избыточности носителей заряда сопротивление базы и p-n-переходов уменьшается, поэтому цепь, содержащую транзистор в режиме насыщения, можно считать короткозамкнутой. 3

Однако на высоких частотах усиление транзистора в режиме насыщения снижается. 15 Это происходит из-за влияния ёмкости коллекторного перехода: с ростом частоты сопротивление ёмкости стремится к нулю и соответственно уменьшается ток в нагрузке. 1 Также на высоких частотах возникает отставание по фазе переменного тока коллектора от переменного тока эмиттера, из-за чего возрастает ток базы и снижается коэффициент усиления по току. 1