Барьер Шоттки имеет решающее значение для работы полупроводниковых устройств, потому что он обеспечивает ряд важных свойств, среди которых:
- Выпрямляющие характеристики. 4 Барьер Шоттки обладает свойствами диода, что позволяет осуществлять высокоскоростное выпрямление электрических сигналов с минимальными энергетическими потерями. 1
- Униполярный характер проводимости. 1 В отличие от биполярных p-n-структур, где ток создаётся как электронами, так и дырками, в устройствах Шоттки перенос заряда осуществляется исключительно основными носителями. 1 Это исключает медленные процессы диффузии и рекомбинации неосновных носителей, что повышает быстродействие компонента. 1
- Низкое прямое падение напряжения. 15 В типовых случаях оно не превышает 0,3–0,5 В, в то время как у стандартных кремниевых диодов этот параметр составляет 0,6–0,8 В. 1 Такое преимущество критически важно в мощных преобразовательных устройствах, где даже незначительное снижение потерь приводит к существенному повышению общего КПД системы. 1
- Малое время обратного восстановления. 1 Эта особенность позволяет успешно применять данные компоненты в импульсных схемах с рабочей частотой до нескольких мегагерц. 1
- Низкие емкостные параметры. 1 Благодаря конструктивным особенностям металл-полупроводникового перехода, паразитная ёмкость диодов Шоттки существенно ниже, чем у их p-n-аналогов. 1 Это качество делает их незаменимыми в высокочастотных трактах радиопередающей аппаратуры и прецизионных измерительных системах. 1