Акцепторные примеси создают дырки в полупроводниках, потому что у них недостаточно электронов для образования связей в решётке. 5 Вследствие этого одна ковалентная связь оказывается ненасыщенной, то есть образуется вакансия (дырка). 1

Например, если в кристаллическую решётку кремния в качестве примеси внедрить атомы какого-либо трёхвалентного элемента, например бора, то для установления химических связей с четырьмя соседними атомами кристаллической решётки у примесного атома не хватает одного электрона. 1 Тогда атом бора может захватить недостающий электрон у одного из соседних атомов кремния. 1 Захваченный электрон локализуется в примесном атоме и не принимает участия в создании электрического тока, так как атом-акцептор достроил свою оболочку до устойчивого состояния. 1 В результате примесный атом превращается в отрицательный ион, неподвижно закреплённый в узле кристаллической решётки, а вблизи атома кремния, отдавшего электрон, появляется вакантное энергетическое состояние — дырка. 1

За счёт эстафетного перехода электронов от одного атома к другому дырка может перемещаться по кристаллу. 1