Некоторые вклады Жореса Алфёрова в развитие физики полупроводников:

• Открытие полупроводниковых гетероструктур. 2 Учёный предложил создавать конструкции из нескольких слоёв различных полупроводниковых материалов с отличающимися свойствами. 2 Это позволило значительно улучшить эффективность работы многих полупроводниковых устройств. 2
• Открытие явления сверхинжекции. 2 Оно заключается в передаче электронов из материала с более высоким потенциалом в материал с более низким потенциалом. 2 Благодаря этому явлению учёные научились создавать эффективные электронные устройства, такие как лазеры и светодиоды. 2
• Разработка полупроводниковых лазеров. 3 В 1968–1969 годах Алфёров создал первый в мире гетеролазер на базе открытия гетероструктур на основе арсенида галлия и арсенида алюминия. 1
• Разработка солнечных батарей. 3 Производительная работа и износостойкость которых была основана на результатах исследований свойств гетероструктур полупроводников. 3 Новые батареи имели улучшенную стойкость к радиоактивному излучению, поэтому могли полноценно использоваться при освоении космоса. 3
• Создание лазера на квантовых точках. 3 Это был новый тип гетероструктур с квантовыми точками, которые легли в основу создания первого в мире лазера на квантовых точках с высокой температурной стабильностью. 3

В 2000 году Жорес Алфёров был удостоен Нобелевской премии по физике за свои открытия и разработки в области полупроводниковых гетероструктур. 2