Преимущества туннельного пробоя в полупроводниках:

• малая ёмкость перехода у туннельных диодов, что позволяет использовать их на частотах более 1 ГГц; 5
• наличие участка с отрицательным сопротивлением, что даёт возможность применять туннельный диод в качестве усилительного элемента и основного элемента генераторов. 5

Недостатки туннельного пробоя:

• сильная зависимость от напряжённости электрического поля: при напряжённости 104 В/см и менее вероятность туннельного пробоя пренебрежимо мала, а при напряжённости более 105 В/см становится весьма существенной. 1
• при увеличении температуры ширина запрещённой зоны, то есть высота потенциального барьера, уменьшается, следовательно, напряжение туннельного пробоя снижается. 1

Преимущества лавинного пробоя в полупроводниках:

• достаточно стабильное напряжение, при котором возникает пробой, что позволяет использовать этот эффект для создания приборов, падение напряжения на которых остаётся стабильным при изменении тока — стабилитронов. 3

Недостатки лавинного пробоя:

• напряжение лавинного пробоя составляет десятки–сотни вольт, что требует больших значений обратного напряжения. 5