Некоторые основные условия возникновения частиц проводимости (электронов и дырок) в полупроводниках:

• Повышение температуры. 25 При повышении температуры тепловые колебания атомов становятся интенсивнее, и энергия валентных электронов возрастает. 5 У некоторых электронов энергия достигает значений, достаточных для разрыва ковалентных связей. 5 Такие электроны покидают свои атомы и становятся свободными. 5
• Воздействие внешних факторов. 1 Возбуждение электронов проводимости может происходить под действием других факторов, способных сообщить электронам энергию, достаточную для их перехода из валентной зоны в зону проводимости. 1 К таким факторам относят световое облучение, ионизирующее излучение и другие. 1
• Наличие примесей. 23 Добавление специальных примесей позволяет целенаправленно изменять соотношение электронов и дырок, создавая материалы с заданными свойствами. 2 Например, добавление пятивалентных элементов, таких как мышьяк или фосфор, в кремний приводит к появлению дополнительных свободных электронов. 2
• Дефекты структуры. 4 Источниками носителей заряда могут быть различные дефекты структуры, например вакансии (отсутствие одного из атомов решётки), межузельные атомы, а также недостаток или избыток атомов одного из компонентов в полупроводниковых соединениях. 4