Метод рентгеновской топографии. bigenc.ru phys.bspu.by Поля напряжений дефекта деформируют кристаллическую решётку и изменяют условия прохождения рентгеновских лучей. bigenc.ru Это отражается на интенсивности дифрагирующих лучей вблизи линии дислокации. bigenc.ru
Метод просвечивающей электронной микроскопии. bigenc.ru Монохроматические пучки электронов с энергией около 100–400 кэВ (в уникальных устройствах до 1,5 MэВ) дают возможность изучать тонкие детали дефектов в кристаллах. bigenc.ru
Метод декорирования. elib.gsu.by Основан на взаимодействии примеси с дислокацией и тенденции примеси скапливаться на дислокации, образуя частицы, которые можно наблюдать в оптическом микроскопе. elib.gsu.by
Метод сравнения парных поверхностей раскола по спайности. solidstate.petrsu.ru Если расколоть кристалл по плоскости спайности и протравить две парные поверхности раскола, то дислокации, пересекающие поверхность раскола, должны дать зеркально-симметричную картину соответствующих фигур травления. solidstate.petrsu.ru
1
{{?data.externalData.likes.liked}}{{?data.externalData.likes.count==1}}Вам понравилось{{??}}Вы и ещё {{=data.externalData.likes.count-1}}{{?}}{{??}}{{=data.externalData.likes.count}}{{?}}
Примеры полезных ответов Поиска с Алисой на вопросы из разных сфер. Вопросы сгенерированы нейросетью YandexGPT для актуальных тем, которые определяются на базе обобщённых запросов к Поиску с Алисой.