Некоторые основные характеристики транзистора 2N5551:

• Структура: n-p-n. 12
• Максимально допустимое напряжение коллектор-база: не более 180 В. 2
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: не более 160 В. 2
• Максимально допустимое напряжение эмиттер-база: не более 6 В. 2
• Максимальный ток коллектора: не более 600 мА. 2
• Максимальный ток базы: не более 100 мА. 2
• Рассеиваемая мощность: не более 625 мВт. 2
• Предельная температура перехода: +150 °C. 2
• Статический коэффициент передачи тока: 30…250. 2
• Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 100 МГц. 2
• Ёмкость коллекторного перехода: 6 пФ. 2
• Тип корпуса: TO-92. 2
• Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C. 2