Основные характеристики полупроводниковых материалов типа А III B V:

• Кристаллическая структура: в основном типа сфалерита. 13 Связь атомов в кристаллической решётке носит преимущественно ковалентный характер с некоторой долей (до 15%) ионной составляющей. 1
• Плавление: плавятся конгруэнтно (без изменения состава). 13
• Узкая область гомогенности: интервал составов, в котором в зависимости от параметров состояния (температуры, давления и др.) преимущественный тип дефектов может меняться, а это приводит к изменению типа проводимости и зависимости удельной электрической проводимости от состава. 13

Применение:

• Микроэлектроника. 13 Полупроводниковые материалы составляют основу современных больших и сверхбольших интегральных схем. 1
• Изготовление силовых электронных приборов. 3 Например, вентили, мощные транзисторы, тиристоры. 3
• Оптоэлектроника. 4 Инжекционные лазеры и светодиоды на основе полупроводников типа А III B V характеризуются высокой эффективностью преобразования электрической энергии в электромагнитное излучение. 4
• Солнечная энергетика. 13 Арсенид галлия (GaAs) потенциально является одним из лучших фоточувствительных материалов для применения в солнечных батареях. 4 Антимонид индия (InSb) имеет важное техническое значение для изготовления приёмников инфракрасного излучения. 4