Основные характеристики полупроводниковых материалов типа А III B V:
Кристаллическая структура: в основном типа сфалерита. web.archive.org bigenc.ru Связь атомов в кристаллической решётке носит преимущественно ковалентный характер с некоторой долей (до 15%) ионной составляющей. web.archive.org
Узкая область гомогенности: интервал составов, в котором в зависимости от параметров состояния (температуры, давления и др.) преимущественный тип дефектов может меняться, а это приводит к изменению типа проводимости и зависимости удельной электрической проводимости от состава. web.archive.org bigenc.ru
Оптоэлектроника. siblec.ru Инжекционные лазеры и светодиоды на основе полупроводников типа А III B V характеризуются высокой эффективностью преобразования электрической энергии в электромагнитное излучение. siblec.ru
Солнечная энергетика. web.archive.org bigenc.ru Арсенид галлия (GaAs) потенциально является одним из лучших фоточувствительных материалов для применения в солнечных батареях. siblec.ru Антимонид индия (InSb) имеет важное техническое значение для изготовления приёмников инфракрасного излучения. siblec.ru
Примеры полезных ответов Поиска с Алисой на вопросы из разных сфер. Вопросы сгенерированы нейросетью YandexGPT для актуальных тем, которые определяются на базе обобщённых запросов к Поиску с Алисой.