Роль инжекции в работе полупроводниковых инжекционных лазеров заключается в создании инверсии населённостей. 14

При приложении выпрямляющего напряжения к полупроводниковому диоду в сечении p–n-перехода или гетероперехода (активная область) создаются высокие концентрации неравновесных носителей заряда (электронов и дырок). 1

Благодаря явлению инжекции избыточных носителей через р–n-переход создаётся инвертированное состояние заполнения энергетических уровней на краях зон проводимости и валентной зоны. 5 Это состояние необходимо для получения усиления при вынужденных межзонных излучательных переходах, на чём основан принцип действия всех известных полупроводниковых лазеров. 5