Каким образом производится режим записи лог.1 в ЗЭ на биполярных транзисторах?

Режим записи логической единицы (лог. 1) в запоминающем элементе (ЗЭ) на биполярных транзисторах производится следующим образом: intuit.ru infopedia.su

1. Для выбора ЗЭ на базу транзистора подают уровень логической 1. intuit.ru
2. Транзистор открывается, и на разрядной линии данных появляется потенциал, близкий к +5 В (отличающийся от него на величину падения напряжения на открытом транзисторе), то есть логическая 1. intuit.ru

Также запись лог. 1 может обеспечиваться комбинацией сигналов: АЛ{зап}=1 и РЛ{зап}=1. intuit.ru При этом транзистор открыт, конденсатор С заряжен из-за разности потенциалов примерно 5 В между затвором и подложкой. intuit.ru