Режим записи логической единицы (лог. 1) в запоминающем элементе (ЗЭ) на биполярных транзисторах производится следующим образом: 13

1. Для выбора ЗЭ на базу транзистора подают уровень логической 1. 1
2. Транзистор открывается, и на разрядной линии данных появляется потенциал, близкий к +5 В (отличающийся от него на величину падения напряжения на открытом транзисторе), то есть логическая 1. 1

Также запись лог. 1 может обеспечиваться комбинацией сигналов: АЛ{зап}=1 и РЛ{зап}=1. 1 При этом транзистор открыт, конденсатор С заряжен из-за разности потенциалов примерно 5 В между затвором и подложкой. 1