Какие свойства карбида кремния делают его подходящим для применения в микроэлектронике и силовых установках электроавтомобилей?

Некоторые свойства карбида кремния (SiC), которые делают его подходящим для применения в микроэлектронике и силовых установках электроавтомобилей:

• Высокая теплопроводность. www.elec.ru ru.wikipedia.org По сравнению с кремнием SiC обладает теплопроводностью в три раза большей, что обеспечивает лучший отвод тепла от кристалла. www.elec.ru
• Большая ширина запрещённой зоны. www.elec.ru В зависимости от типа кристаллической решётки, SiC может иметь ширину запрещённой зоны от 2,2 до 3,3 эВ, что позволяет обеспечить на порядок более высокое сопротивление исток-сток в закрытом состоянии. www.elec.ru
• Меньшее удельное напряжение электрического пробоя. www.elec.ru По сравнению с кремнием это позволяет уменьшить размеры транзистора и увеличить его быстродействие. www.elec.ru
• Более высокие токи утечки. www.elec.ru Это определяет меньший нагрев SiC-транзисторов, а значит, систему теплоотвода можно сделать компактной. www.elec.ru
• Высокая рабочая температура кристалла. moluch.ru Теоретически SiC выдерживает температуры до +600 °C (на практике до +200 °C, больше просто корпуса не выдерживают). www.elec.ru
• Устойчивость к воздействию радиации. moluch.ru ru.wikipedia.org Воздействие жёсткой радиации не приводит к деградации электронных свойств кристалла. moluch.ru
• Стабильность электронных свойств. moluch.ru Электронные свойства приборов на основе SiC очень стабильны во времени и слабо зависят от температуры, что обеспечивает высокую надёжность изделий. moluch.ru