Некоторые типы транзисторов, которые используются в силовых приложениях:

• MOSFET. 1 Обладают высокой скоростью переключения и малым сопротивлением сток-исток. 1 Проводят электрический ток в одном направлении. 1 Используются в импульсных источниках питания, импульсных электроприводах двигателей постоянного тока и звуковых усилителях класса D. 1
• Биполярные транзисторы. 1 Реагируют на изменения тока на своих входах, подходят для управления индуктивными нагрузками. 1 Могут использоваться для относительно медленных индуктивных нагрузок: электродвигателей, источников питания потребительских устройств и звуковых динамиков. 1
• IGBT. 12 Биполярный транзистор с изолированным затвором и встроенным драйвером затвора. 1 Переключается несколько быстрее, чем биполярные устройства, но не так быстро, как MOSFET. 1 Используются для управления высокими силами тока и высокой напряжённости, а также в схемах, где необходимо большое сопротивление и управляемость. 2
• SiC-MOSFET. 3 Способны работать с напряжениями до 1200 В при сопротивлении открытого канала всего 75 мОм. 3 Имеют минимальные потери при переключении и могут функционировать при температурах перехода до 175 °C. 3 Подходят для высоковольтных преобразователей, солнечных инверторов и электротранспорта. 3
• GaN-транзисторы. 13 Отличаются высокими скоростями переключения и меньшими потерями. 3 Могут работать на частотах в десятки мегагерц, что позволяет существенно уменьшить размеры пассивных компонентов в импульсных преобразователях и повысить их эффективность. 3 Однако GaN-транзисторы более чувствительны к перенапряжениям и требуют тщательной разработки схем управления затвором. 3