Дефекты кристаллической решётки полупроводников можно разделить на четыре группы: 3
Линейные (одномерные). 2 К ним относятся дислокации, в которых сильные отклонения от периодичности наблюдаются вдоль линии, и микротрещины. 2
Поверхностные (двумерные). 2 Например, границы кристалла и зёрен поликристалла, дефекты упаковки, межфазные границы, стенки доменов, а также поверхность кристалла. 2
Объёмные (трёхмерные). 25 К ним относятся скопления вакансий, образующие поры и каналы, частицы, оседающие на различных дефектах, скопления примесей в виде секторов и зон роста. 5
Кроме того, существуют специфические дефекты полупроводников, например, акцептор — дефект в виде примесного атома, который может захватывать электроны из валентной зоны у доноров, образуя при этом дырки, участвующие в электропроводности, и донор — дефект, способный отдавать электроны в зону проводимости. 4