Некоторые методы управления типом проводимости полупроводниковых устройств:

• Введение примесей. 1 Например, введение в четырехвалентный полупроводник пятивалентной примеси фосфора позволяет получить донорную проводимость (n-типа), а введение трёхвалентной примеси бора — полупроводник с акцепторной проводимостью (p-типа). 1
• Получение p-n перехода. 1 Это делают путём введения в примесный полупроводник примеси с противоположным типом проводимости, например с помощью диффузии или эпитаксии. 1
• Изменение стехиометрии соединения. 2 Например, в SiC с избытком Si материал является полупроводником n-типа, а с избытком С — р-типа. 2
• Воздействие внешним полем. 3 Для этого используют магнитное поле, ориентированное параллельно p-n-переходу, механическое усилие, приложенное к полупроводниковой структуре перпендикулярно p-n-переходу, оптическое излучение, направленное в область p-n-перехода, или тепловое воздействие на полупроводниковую структуру. 3