Некоторые методы измерения контактной разности потенциалов в полупроводниках:

• Измерение температурной зависимости прямого тока через контакт или спектральной зависимости фототока в контакте. 1 Затем проводят графическую обработку полученных зависимостей, чтобы определить высоту потенциального барьера в контакте и концентрацию основных носителей заряда в полупроводнике. 1 По этим данным вычисляют контактную разность потенциалов. 1
• Измерение ёмкости контакта. 1 На контакт подают регулируемое прямое смещение и регистрируют величину ёмкости контакта. 1 Напряжение смещения изменяют до тех пор, пока ёмкость не перестанет зависеть от смещения. 1 Затем фиксируют величину напряжения смещения, которая по абсолютной величине равна контактной разности потенциалов. 1
• Метод вибрирующего конденсатора (Зисмана-Кельвина). 2 В соединительную цепь включают источник напряжения постоянного тока и измеритель переменного тока. 2 Один из материалов, который служит измерительным электродом, приводят в вибрирующее движение. 2 Это позволяет периодически менять величину электрической ёмкости между измеряемыми поверхностями. 2
• Фотоэлектрический метод. 3 Основан на тесной связи фотоэффекта с работой выхода электрона в исследуемых образцах. 3