Какие существуют методы измерения концентрации примесей в полупроводниках?

Некоторые методы измерения концентрации примесей в полупроводниках:

• Фотометрические измерения поглощения излучения ИК-диапазона. patents.google.com Этот метод не чувствителен к наличию на поверхности полупроводника поверхностных состояний и ловушек в диэлектрике. patents.google.com Однако он позволяет измерять лишь среднюю концентрацию легирующей примеси в объёме полупроводника. patents.google.com
• Методы, основанные на облучении поверхности пластины остросфокусированным электронным или ионным лучом. lib.ulstu.ru В результате такого воздействия происходит испускание вторичных электронов или ионов, а также характеристического рентгеновского излучения. lib.ulstu.ru Анализ энергии или длины волны испускаемых частиц позволяет определить тип и концентрацию примесных атомов. lib.ulstu.ru
• Электрические методы, например, вольт-фарадный метод или метод на основе эффекта Холла. lib.ulstu.ru Они дают хорошие результаты в задачах, где требуется определить концентрацию примесных атомов и их распределение по глубине. lib.ulstu.ru
• Контроль распределения примесных атомов по поверхности пластины на основе измерения её удельного сопротивления. lib.ulstu.ru
• Анализ колебательных спектров примесных атомов в полупроводниках. studfile.net Этот метод относится к неразрушающим методам контроля примесей, сильно связанных с решёткой полупроводника. studfile.net В спектре пропускания (поглощения) при наличии примесей появляются полосы резонансного поглощения. studfile.net По спектральному положению этих полос поглощения можно определить природу примесного центра, а по интенсивности полос оценить концентрацию примесных центров. studfile.net