Некоторые современные технологии, которые используются для выращивания кристаллов кремния:

• Метод Чохральского. 12 В начале процесса часть затравочного монокристалла расплавляется для устранения в нём участков с повышенной плотностью механических напряжений и дефектами. 2 Затем происходит постепенное вытягивание монокристалла из расплава. 2
• Метод Чохральского с использованием плавающего тигля. 1 Позволяет получить более равномерное распределение примесей по длине и сечению кристалла за счёт контролируемого поступления примесей из внешней части расплава. 1
• Метод Чохральского с промежуточными дозагрузками. 1 Помогает увеличить производительность установок выращивания и снизить издержки за счёт повторного использования контейнеров (тиглей) и сокращения времени на обслуживание между процессами, герметизацию и создание защитной атмосферы. 1
• Метод Чохральского с использованием пьедестала. 1 В расплав в соответствующей футеровке вводится плоский нагревательный элемент, снабжённый температурными датчиками, распределёнными по площади элемента. 1 Элемент вводится в расплав на глубину 15–30 мм в зону, где будет выращиваться слиток. 1 В ходе роста контролируется распределение температуры по площади элемента и подаётся питание на соответствующие зоны нагревательного элемента для обеспечения «правильного» распределения температур вблизи фронта кристаллизации. 1
• Метод зонной плавки. 2 Выращивание кристаллов кремния осуществляется на основе одновиткового индуктора (типа «игольного ушка»), внутренний диаметр которого меньше диаметра исходного поликристаллического стержня и кристалла. 2 Скорость выращивания кристаллов методом зонной плавки вдвое больше, чем по методу Чохральского, благодаря более высоким градиентам температуры. 2