Среди соединений типа AIIIВV наиболее широко в полупроводниковой промышленности используются арсенид галлия (GaAs) и фосфид индия (InP). 14
Эти вещества применяют в производстве полупроводниковых приборов различного назначения: СВЧ-интегральные схемы, светодиоды, фоторезисторы, лазеры, приёмники ИК-излучения, туннельные диоды и другие. 1
Некоторые области использования:
- Арсенид галлия (GaAs) — потенциально один из лучших фоточувствительных материалов для применения в солнечных батареях. 2
- Антимонид индия (InSb) — имеет важное техническое значение для изготовления приёмников инфракрасного излучения. 2
- Фосфид галлия (GaP) — благодаря большой ширине запрещённой зоны (2,26 эВ) излучательные переходы в этом соединении приходятся на видимую часть спектра, что позволяет создавать светодиоды, дающие красное, жёлтое и зелёное свечение. 5