Некоторые процессы, которые приводят к образованию точечных дефектов в кристаллах:

• Нагревание. 1 В результате атомы кристалла могут выходить из своих положений равновесия. 1 Такой атом, перемещаясь по кристаллу, занимает место в междоузлии, а оставшийся пустым узел решётки называется вакансией. 1
• Облучение быстрыми частицами. 1 К таким частицам относятся нейтроны, протоны, электроны, а также осколки деления ядер и ускоренные ионы. 1 Прохождение этих частиц через кристалл сопровождается упругими столкновениями с ядрами атомов, возбуждением электронных оболочек и ионизацией. 1
• Отклонение состава от стехиометрии. 1 Обмен кристалла веществом с внешней средой приводит к изменению химического состава кристалла. 5 Отклонение химического состава от стехиометрического приводит к образованию вакансий и межузельных атомов — дефектов нестехиометрии. 5
• Введение примесей. 3 Содержание точечных дефектов в кристаллах может меняться при их легировании, то есть при введении малых количеств добавок. 5
• Пластическая деформация. 1 Дислокации, которые относятся к точечным дефектам, появляются в результате пластической деформации кристалла в процессе роста или при последующих обработках. 1