Принцип работы полупроводниковых диодов основан на явлении, называемом «диодным эффектом». 5 Диод состоит из двух различных типов полупроводников, обычно кремния или германия, соединённых вместе. 5 Один из полупроводников называется «p-типом», а другой — «n-типом». 5

Когда на полупроводниковый диод подают напряжение в прямом направлении (положительный полюс к p-типу и отрицательный полюс к n-типу), свободные электроны из n-типа и дырки из p-типа перемещаются к переходу и рекомбинируют друг с другом. 5 Это создаёт электрический ток, который может проходить через диод. 5

Если на полупроводниковый диод подают напряжение в обратном направлении (положительный полюс к n-типу и отрицательный полюс к p-типу), электроны из p-типа и дырки из n-типа отталкиваются друг от друга и не могут перемещаться через переход. 5 Это создаёт высокое сопротивление и практически отсутствие электрического тока. 5

Принцип работы транзисторов зависит от их типа. 4

Биполярные транзисторы работают за счёт взаимодействия двух близко расположенных на кристалле p-n-переходов и управляются изменением тока через база-эмиттерный переход. 8 В биполярном транзисторе ток малого уровня, вводимый в базу, управляет большим током между эмиттером и коллектором. 4

Полевые транзисторы управляются напряжением, а не током. 8 На затвор подаётся напряжение, которое создаёт электрическое поле. 4 Оно изменяет проводимость канала между истоком и стоком, позволяя контролировать ток. 4 В полевых транзисторах могут быть обогащённый или обедненный канал: в обогащённом ток течёт только при наличии напряжения на затворе, а в обеднённом — канал существует всегда, и ток может быть уменьшен приложением напряжения. 4