Для легирования полупроводников n-типа (с электронной проводимостью) и p-типа (с дырочной проводимостью) используют разные виды примесей. 25

Для полупроводников n-типа применяют донорные примеси, которые увеличивают концентрацию свободных электронов в кристалле. 5 К ним относятся, например:

• для кристаллов кремния и германия — атомы пятой группы периодической системы элементов Д. И. Менделеева: фосфор, мышьяк, сурьма, висмут; 4
• для полупроводников типа — элементы подгруппы VIa (S, Se, Те), а также Sn. 2

Для полупроводников p-типа используют акцепторные примеси, которые увеличивают концентрацию дырок. 5 К ним относятся, например:

• для кристаллов кремния и германия — атомы третьей группы периодической системы элементов Д. И. Менделеева: бор, алюминий, галлий, индий; 4
• для полупроводников типа — элементы подгруппы IIа (Be, Mg, Zn, Cd). 2

Также для легирования полупроводников используют примеси тяжёлых и благородных металлов, такие как Fe, Ni, Сг, Mb, W, Сu, Ag, Au и другие. 2