Какие методы легирования используются для получения полупроводников n-типа?

Для получения полупроводников n-типа используются следующие методы легирования:

1. Диффузия. studfile.net digteh.ru Атомы паров примесей проникают на поверхность и внутрь кристаллов полупроводников, нагретых примерно до 950–1200 °C. studfile.net При этом концентрация примесей наиболее высока на поверхности, а наиболее низка в глубине кристаллов. studfile.net
2. Сплавление. studfile.net На кристалл полупроводника накладывают таблетку легирующего вещества и разогревают их до такой температуры, при которой наступит взаимное сплавление легирующего материала и полупроводника. studfile.net
3. Ионное легирование (ионная имплантация). vk.com studfile.net В приповерхностный слой материала внедряют ионы примеси, которые в вакууме разогнаны до определённой скорости и направлены на поверхность полупроводника. studfile.net
4. Эпитаксия. studfile.net digteh.ru Это выращивание плёнки одного полупроводника на кристалле другого полупроводника. studfile.net При эпитаксии удаётся получить более качественный кристалл и точнее регулировать концентрацию примесей в его объёме. digteh.ru