Для получения полупроводников n-типа используются следующие методы легирования:

1. Диффузия. 45 Атомы паров примесей проникают на поверхность и внутрь кристаллов полупроводников, нагретых примерно до 950–1200 °C. 4 При этом концентрация примесей наиболее высока на поверхности, а наиболее низка в глубине кристаллов. 4
2. Сплавление. 4 На кристалл полупроводника накладывают таблетку легирующего вещества и разогревают их до такой температуры, при которой наступит взаимное сплавление легирующего материала и полупроводника. 4
3. Ионное легирование (ионная имплантация). 14 В приповерхностный слой материала внедряют ионы примеси, которые в вакууме разогнаны до определённой скорости и направлены на поверхность полупроводника. 4
4. Эпитаксия. 45 Это выращивание плёнки одного полупроводника на кристалле другого полупроводника. 4 При эпитаксии удаётся получить более качественный кристалл и точнее регулировать концентрацию примесей в его объёме. 5