Какие методы используются для измерения сопротивления в полупроводниковых структурах на основе GaAs?

Для измерения сопротивления в полупроводниковых структурах на основе GaAs используют как контактные, так и бесконтактные методы. emirs.miet.ru

Контактные методы подразумевают подачу электрического сигнала и снятие ответной реакции с образца с помощью зондов, которые обеспечивают контакт с исследуемым объектом. emirs.miet.ru Некоторые из таких методов:

• Четырёхзондовый. studfile.net На полубесконечный образец полупроводника, ограниченный плоской поверхностью, помещают четыре тонких остро заточенных металлических зонда, которые расположены на одной прямой. studfile.net Через внешние зонды пропускают электрический ток, а между зондами 2 и 3 вольтметром измеряют разность потенциалов. studfile.net
• Метод сопротивления растекания. emirs.miet.ru На поверхность полупроводника опускают металлический заострённый на конце зонд и пропускают ток между зондом и отдельно созданным омическим контактом. emirs.miet.ru

Бесконтактные методы реализуются без механического контакта между измеряемым образцом и средством измерения. emirs.miet.ru Некоторые из них:

• Мостовой. emirs.miet.ru Образец полупроводника с помощью ёмкостной связи вводят в одно из плеч моста, который питается переменным током высокой частоты. emirs.miet.ru Изменяя значения C и R, добиваются компенсации моста, при этом величина R равна электрическому сопротивлению образца. emirs.miet.ru
• Методы введения образца в колебательный контур. emirs.miet.ru Основаны на взаимодействии полупроводника с электромагнитным полем радиотехнического колебательного контура LC. emirs.miet.ru

Выбор метода измерения в каждом конкретном случае определяется спецификой контролируемого полупроводникового материала, геометрией образца, типом структуры, диапазоном удельного сопротивления. emirs.miet.ru