Некоторые материалы с широкой запрещённой зоной, которые используются в современной электронике:
- Нитрид галлия (GaN). www.cta.ru Ширина запрещённой зоны — приблизительно 3,4 эВ. www.cta.ru Используется в приложениях, требующих высокой эффективности и компактных конструкций, таких как источники питания и радиочастотные усилители. www.cta.ru
- Карбид кремния (SiC). www.cta.ru Ширина запрещённой зоны — приблизительно 3,26 эВ. www.cta.ru Материал известен устойчивостью к повышенным температурам и способностью выдерживать высокие уровни мощности с меньшими потерями. www.cta.ru Применяется в системах с высокой мощностью. www.cta.ru
- Алмаз. 3dnews.ru Характеризуется чрезвычайно пространной запрещённой зоной — 5,47 эВ. 3dnews.ru Предельная плотность тока, способного проходить через канал, у алмаза в 5 тыс. раз выше, чем у кремния, а предельное напряжение — в 30 раз выше. 3dnews.ru
- Оксид олова. atomvestnik.ru Ширина запрещённой зоны — 3,6 эВ. atomvestnik.ru
Также существуют сверхширокозонные полупроводники, например, нитрид бора (BN) с запрещённой зоной около 6,4 эВ. russianelectronics.ru Этот материал может стать конкурентным для будущих мощных высокочастотных и высокотемпературных электронных устройств. russianelectronics.ru