Вопросы к Поиску с Алисой
Для переключения состояний в терагерцовой памяти можно использовать материалы, в которых изменения электронных орбиталей приводят к изменению магнитной анизотропии. habr.com
Некоторые из таких материалов:
Кроме того, для переключения состояний в терагерцовой памяти могут применяться материалы с колоссальным магнетосопротивлением (CMR). www.sinp.msu.ru Такие материалы чувствительны к воздействию внешних магнитных полей, которые используются для записи данных в магнитную память, и отличаются высокой скоростью переключения свойств. www.sinp.msu.ru