При изменении напряжения на p-n-переходе происходят разные физические процессы в зависимости от направления этого изменения. bigenc.ru bga.center
При прямом смещении (приложение положительного потенциала к р-области): bigenc.ru
- Потенциальный барьер понижается. bigenc.ru С ростом напряжения увеличивается число основных носителей заряда, способных преодолеть барьер. bigenc.ru
- После прохождения p-n-перехода эти носители становятся неосновными, и их концентрация по обе стороны перехода увеличивается (инжекция неосновных носителей). bigenc.ru
- Одновременно в р- и n-областях через контакты входят равные количества основных носителей, которые вызывают компенсацию зарядов инжектированных носителей. bigenc.ru
- Возрастает скорость рекомбинации, и появляется отличный от нуля ток через p-n-переход, который экспоненциально возрастает с увеличением приложенного напряжения. bigenc.ru
При обратном смещении (приложение положительного потенциала к n-области): bigenc.ru
- Потенциальный барьер повышается. bigenc.ru Диффузия основных носителей через p-n-переход становится пренебрежимо малой. bigenc.ru
- Потоки неосновных носителей не изменяются (для них барьер не существует). bigenc.ru
- Через p-n-переход течёт ток насыщения, который обычно мал и почти не зависит от приложенного напряжения. bigenc.ru
Также при изменении напряжения на p-n-переходе могут возникать различные виды пробоев, например лавинный, туннельный или тепловой. bigenc.ru elib.gsu.by