Какие факторы влияют на вероятность теплового пробоя в полупроводниках?

Некоторые факторы, влияющие на вероятность теплового пробоя в полупроводниках:

• Увеличение обратного напряжения. 5 Это приводит к возрастанию мощности, рассеиваемой в переходе в виде тепла. 5 Разогрев p-n-перехода, в свою очередь, ведёт к увеличению обратного тока. 5
• Необеспеченный отвод тепла. 2 Если не обеспечить отвод тепла, область p-n-перехода нагревается до такой степени, что возникает определённое количество электронно-дырочных пар под действием тепловой энергии решётки. 2
• Состояние поверхности. 2 Из-за различных дефектов на поверхности полупроводника там всегда имеются энергетические уровни, на которые захватываются носители заряда. 2 Это приводит к уменьшению сопротивления движению неосновных носителей в поверхностной области p-n-перехода, что может привести к тепловому пробою. 2
• Ширина запирающего слоя. 3 Чем шире запирающий слой, тем больше напряжение пробоя, так как необходимо сообщить большую энергию носителям. 3
• Тип полупроводника. 3 Для p-n-переходов, сделанных на базе кремния, напряжение пробоя возрастает с повышением температуры, так как уменьшается длина свободного пробега носителей и для сообщения носителям необходимой энергии требуется большая напряжённость. 3