Какие факторы влияют на вероятность теплового пробоя в полупроводниках?

Некоторые факторы, влияющие на вероятность теплового пробоя в полупроводниках:

• Увеличение обратного напряжения. books.ifmo.ru Это приводит к возрастанию мощности, рассеиваемой в переходе в виде тепла. books.ifmo.ru Разогрев p-n-перехода, в свою очередь, ведёт к увеличению обратного тока. books.ifmo.ru
• Необеспеченный отвод тепла. eor.dgu.ru Если не обеспечить отвод тепла, область p-n-перехода нагревается до такой степени, что возникает определённое количество электронно-дырочных пар под действием тепловой энергии решётки. eor.dgu.ru
• Состояние поверхности. eor.dgu.ru Из-за различных дефектов на поверхности полупроводника там всегда имеются энергетические уровни, на которые захватываются носители заряда. eor.dgu.ru Это приводит к уменьшению сопротивления движению неосновных носителей в поверхностной области p-n-перехода, что может привести к тепловому пробою. eor.dgu.ru
• Ширина запирающего слоя. studizba.com Чем шире запирающий слой, тем больше напряжение пробоя, так как необходимо сообщить большую энергию носителям. studizba.com
• Тип полупроводника. studizba.com Для p-n-переходов, сделанных на базе кремния, напряжение пробоя возрастает с повышением температуры, так как уменьшается длина свободного пробега носителей и для сообщения носителям необходимой энергии требуется большая напряжённость. studizba.com