Некоторые факторы, влияющие на рассеяние носителей заряда в полупроводниках:

• Дефекты кристаллической решётки. 1 Для столкновения электрона с атомами полупроводника необходимо наличие дефекта решётки: примесного атома другого типа или нарушения периодичности кристалла. 1
• Тепловые колебания решётки (фононы). 1 Они смещают атомы кристалла из положения равновесия и могут рассеивать электроны. 1
• Примеси. 4 Могут служить как источниками дополнительных носителей (донорные и акцепторные примеси), так и центрами рассеяния, уменьшающими подвижность частиц. 4
• Температура. 2 Повышение температуры обусловливает уменьшение подвижности, так как при этом усиливается тепловое движение атомов самого полупроводника и столкновения электронов с атомами учащаются. 2
• Электрическое поле. 4 Может ускорять носители. 4
• Световое воздействие. 4 При попадании света на полупроводниковый материал фотоны передают свою энергию связанным электронам, вызывая их переход в зону проводимости и образование пар электрон-дырка. 4