Какие факторы влияют на рассеяние носителей заряда в полупроводниках?

Алиса

На основе источников, возможны неточности

Как это работает?

Некоторые факторы, влияющие на рассеяние носителей заряда в полупроводниках:

Дефекты кристаллической решётки. elunn.ru Для столкновения электрона с атомами полупроводника необходимо наличие дефекта решётки: примесного атома другого типа или нарушения периодичности кристалла. elunn.ru

Тепловые колебания решётки (фононы). elunn.ru Они смещают атомы кристалла из положения равновесия и могут рассеивать электроны. elunn.ru

Примеси. ssl-team.com Могут служить как источниками дополнительных носителей (донорные и акцепторные примеси), так и центрами рассеяния, уменьшающими подвижность частиц. ssl-team.com

Температура. myompl.ru Повышение температуры обусловливает уменьшение подвижности, так как при этом усиливается тепловое движение атомов самого полупроводника и столкновения электронов с атомами учащаются. myompl.ru

Электрическое поле. ssl-team.com Может ускорять носители. ssl-team.com

Световое воздействие. ssl-team.com При попадании света на полупроводниковый материал фотоны передают свою энергию связанным электронам, вызывая их переход в зону проводимости и образование пар электрон-дырка. ssl-team.com

Примеры полезных ответов Поиска с Алисой на вопросы из разных сфер. Вопросы сгенерированы нейросетью YandexGPT для актуальных тем, которые определяются на базе обобщённых запросов к Поиску с Алисой.

Пожаловаться на контент

Пользовательское соглашение

Связаться с нами

Задать новый вопрос

Как это работает?