Некоторые факторы, влияющие на пороговое напряжение полевого транзистора:

• Технология изготовления. 1 Величина порогового напряжения зависит от неё и составляет для современных интегральных МОП-транзисторов 0,5–1,0 В. 1
• Геометрические размеры транзистора. 1 При уменьшении размеров канала уменьшается и толщина диэлектрика, изолирующего затвор от канала. 1 Для исключения вероятности пробоя величину порогового напряжения снижают. 1
• Температура. 4 У МДП-транзисторов с индуцированным каналом с ростом температуры величина порогового напряжения уменьшается. 4 Это связано с тем, что при увеличении температуры уменьшается контактная разность потенциалов в p-n переходе, что приводит к расширению проводящего канала. 4