Какие факторы влияют на концентрацию неосновных носителей в полупроводниках?

Некоторые факторы, влияющие на концентрацию неосновных носителей в полупроводниках:

• Температура. lib.kgeu.ru portal.tpu.ru Концентрация неосновных носителей является функцией температуры кристалла. portal.tpu.ru При нагревании полупроводника увеличивается число свободных электронов и дырок. ege-study.ru
• Ширина запрещённой зоны. lib.kgeu.ru Чем шире запрещённая зона, тем меньшую энергию должен получить электрон для перехода из валентной зоны в зону проводимости, а значит, концентрация свободных носителей заряда будет меньше. lib.kgeu.ru
• Примеси. lib.kgeu.ru ege-study.ru Для создания большего количества электронов применяют примеси, ионы которых содержат большее число валентных электронов, чем основной материал (донорная примесь). lib.kgeu.ru Для создания большего количества дырок используют примеси, ионы которых содержат меньшее количество электронов, чем ионы основного материала (акцепторная примесь). lib.kgeu.ru
• Внешние воздействия. dspace.www1.vlsu.ru portal.tpu.ru На концентрацию неосновных носителей могут влиять режимные факторы (ступенчатое изменение прямого тока, напряжения смещения) и внешние воздействия (импульсное излучение оптического или гамма-рентгеновского диапазонов). dspace.www1.vlsu.ru