Некоторые факторы, влияющие на изменение эффективной массы дырки в полупроводнике:

• Уровень энергии в валентной зоне, на котором находится дырка. 1
• Температура. 2 Эффективные массы дырок и электронов связаны с кривизнами дисперсионных соотношений волнового вектора энергии в минимумах и максимумах зоны проводимости и валентных зон соответственно, а эти соотношения и запрещённые зоны изменяются с температурой. 2 Например, в кремнии эффективная масса немного увеличивается с повышением температуры. 2
• Наличие примесей. 5 При введении примесей уровень химического потенциала начинает смещаться к одной из зон, и при очень высокой концентрации примесей он может оказаться очень близко и даже внутри одной из зон. 1

Также эффективная масса дырки зависит от уровня энергии в валентной зоне, на котором она находится. 1