Ширина базы биполярного транзистора влияет на его характеристики следующим образом:
- Уменьшение потерь неосновных носителей. phys-el.ru Когда ширина базы меньше диффузионной длины неосновных носителей, подавляющее число инжектированных из эмиттера неосновных носителей достигает коллекторного перехода, и потери сводятся к минимуму. phys-el.ru
- Увеличение тока коллектора. phys-el.ru За счёт сокращения расстояния между границами переходов потери инжектированных неосновных носителей в базе на рекомбинацию уменьшаются, и ток коллектора становится больше. phys-el.ru
- Повышение коэффициента передачи тока. studizba.com При достаточно тонкой базе, когда потери дырок за счёт рекомбинации их в базе малы, коэффициент передачи тока может доходить до 0,99 и более. studizba.com
- Улучшение частотных свойств. siblec.ru Уменьшение ширины базовой области позволяет уменьшить время пролёта инжектированных носителей в базовой области, что способствует повышению предельной частоты транзистора. siblec.ru
Однако слишком тонкая база может привести к эффекту смыкания — соединению коллекторного перехода с эмиттерным, из-за чего область базы исчезает, и транзистор перестаёт нормально работать. habr.com