Ширина базы биполярного транзистора влияет на его характеристики следующим образом:

• Уменьшение потерь неосновных носителей. 1 Когда ширина базы меньше диффузионной длины неосновных носителей, подавляющее число инжектированных из эмиттера неосновных носителей достигает коллекторного перехода, и потери сводятся к минимуму. 1
• Увеличение тока коллектора. 1 За счёт сокращения расстояния между границами переходов потери инжектированных неосновных носителей в базе на рекомбинацию уменьшаются, и ток коллектора становится больше. 1
• Повышение коэффициента передачи тока. 2 При достаточно тонкой базе, когда потери дырок за счёт рекомбинации их в базе малы, коэффициент передачи тока может доходить до 0,99 и более. 2
• Улучшение частотных свойств. 5 Уменьшение ширины базовой области позволяет уменьшить время пролёта инжектированных носителей в базовой области, что способствует повышению предельной частоты транзистора. 5

Однако слишком тонкая база может привести к эффекту смыкания — соединению коллекторного перехода с эмиттерным, из-за чего область базы исчезает, и транзистор перестаёт нормально работать. 3