Напряжение насыщения влияет на работу биполярных транзисторов следующим образом: в этом режиме оба перехода транзистора смещены в прямом направлении. 1 В таком состоянии основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу — навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. 1 Поэтому при дальнейшем уменьшении напряжения коллектор-эмиттер (Uкэ) ток коллектора уменьшается. 1

Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестаёт зависеть от тока базы. 1

Способность транзистора к переходу в насыщение используется в цифровой технике, когда транзистор играет роль ключа в замкнутом положении. 3

Также транзистор, у которого напряжение Uкэ в рабочем режиме больше, чем напряжение насыщения (Uкэнас), начнёт сильнее греться, так как рассеиваемая им мощность в тепло увеличится. 5 Если мощность, рассеиваемая на транзисторе, превысит допустимую, то он выйдет из строя. 5