Проводимость канала полевого транзистора может быть электронной (n-канальной) или дырочной (p-канальной). 2

Устройство полевого транзистора с n-проводимостью (на примере униполярного транзистора с изолированным затвором): 1

1. Кремниевая подложка. 1 В узлах кристаллической решётки кремния присутствуют отрицательно заряженные атомы и свободные электроны, что достигается введением специальных примесей. 1
2. Диэлектрик. 1 Служит для изоляции кремниевой подложки от электрода затвора. 1 В качестве диэлектрика используется оксид кремния. 1
3. Исток транзистора подключается к полупроводниковой подложке. 1 Между стоком и истоком формируется «паразитный» диод. 1 В n-канальных полевых транзисторах его подключают анодом к истоку, в p-канальных — анодом к стоку. 1

Принцип работы: 1

1. Между затвором и истоком прикладывается плюсовое напряжение к затвору. 1
2. Между металлическим выводом затвора и подложкой появляется электрическое поле. 1
3. Электрическое поле притягивает к приповерхностному слою диэлектрика свободные электроны, ранее распределённые в кремниевой подложке. 1
4. В приповерхностном слое появляется область проводимости (канал) n-типа, состоящая из свободных электронов. 1
5. Между выводами стока и истока появляется «мост», проводящий электрический ток. 1
6. Проводимость полевого транзистора регулируется величиной внешнего управляющего напряжения. 1 При его снятии проводящий «мостик» исчезнет и прибор закроется. 1

Устройство полевого транзистора с p-проводимостью работает аналогично. 1

Полевые транзисторы могут иметь собственный (встроенный) канал (без напряжения канал открыт) или индуцированный (инверсный) канал (при отсутствии приложенного электротока он закрыт). 1 Для открытия встроенного канала необходимо подать ток определённой полярности, для открытия индуцированного — приложить напряжение нужной полярности. 1