Мемристор — пассивный электрический элемент, двухполюсник в микроэлектронике, способный изменять своё сопротивление в зависимости от протекшего через него электрического заряда (интеграла тока по времени). 7

Устройство: мемристор состоит из тонкой 50-нм плёнки, состоящей из двух слоёв — изолирующего диоксида титана и слоя, обеднённого кислородом. 2 Плёнка расположена между двумя платиновыми 5-нм электродами. 2 При подаче на электроды напряжения изменяется кристаллическая структура диоксида титана: благодаря диффузии кислорода его электрическое сопротивление увеличивается на несколько порядков (в тысячи раз). 2 При этом после отключения тока изменения в ячейке сохраняются. 2

Преимущества мемристора перед традиционными элементами памяти:

• Высокая плотность хранения информации. 1 Мемристоры могут хранить информацию в миллионах раз плотнее, чем традиционные транзисторы. 1
• Низкое энергопотребление. 1 Мемристоры потребляют намного меньше энергии, чем традиционные транзисторы. 1
• Быстрая обработка информации. 1 Мемристоры могут обрабатывать информацию намного быстрее, чем традиционные транзисторы. 1