Уравнение Ландау-Лифшица используется в современных технологиях хранения данных для моделирования поведения свободного слоя магнитной ячейки памяти MRAM. 1
С его помощью можно учесть влияние всех полей, действующих в каждой точке магнитного слоя, и описать эволюцию электронной намагниченности ферромагнитных образцов различной формы в правильно выбранном эффективном магнитном поле. 3