Тепловой пробой p-n-перехода негативно влияет на работу полупроводниковых устройств, так как приводит к разрушению кристалла полупроводника и переходу в аварийный режим. 5

Причина теплового пробоя — нарушение устойчивости теплового режима p-n-перехода, когда количество теплоты, выделяющееся в переходе от нагрева его обратным током, превышает количество теплоты, отводимое от перехода. 1 В результате температура перехода возрастает, сопротивление его уменьшается и ток увеличивается, что приводит к перегреву перехода и его тепловому разрушению. 1

Если последовательно с диодом нет ограничивающего ток сопротивления, то результатом теплового пробоя может быть разрушение p-n-перехода. 3

Таким образом, одним из важнейших параметров полупроводникового прибора является максимально допустимое обратное напряжение (пробивное напряжение), и превышение напряжением величины пробивной проводимости может привести к выходу из строя полупроводникового прибора. 4