Тепловое возбуждение влияет на образование электронно-дырочных пар в полупроводниках следующим образом: при температуре выше абсолютного нуля тепловое возбуждение приводит к перебросу части электронов из валентной зоны через запрещённую зону на дно зоны проводимости. 1

Это вызывает появление положительного заряда в химической ковалентной связи, который характеризуется как положительно заряженная квазичастица — дырка. 1 Таким образом, повышение температуры вызывает увеличение колебаний атомов в кристаллической решётке, в результате чего связи между атомами могут разрываться. 1 Это приводит к образованию пары: электрон — дырка. 1

В примесных полупроводниках, где примеси создают ряд энергетических уровней в запрещённой зоне, вероятность образования электронно-дырочных пар при тепловом возбуждении оказывается гораздо более высокой, чем в случае собственного полупроводника. 2