Как температура эпитаксии влияет на структурное совершенство полупроводниковых слоев?

Температура эпитаксии влияет на структурное совершенство полупроводниковых слоёв следующим образом:

• При высокой температуре подложки атомы, двигаясь по нагретой поверхности, занимают строго определённые положения, что определяет ориентированный рост кристалла формируемой плёнки на монокристаллической подложке. 2
• При увеличении температуры подложки до 300–500 °С подвижность адсорбированных атомов значительно увеличивается. 3 В результате столкновений адатомы образуют стабильные комплексы по всей поверхности, благодаря чему уменьшается вероятность их реиспарения. 3
• Понижение температуры процесса ниже предельной для данных конкретных условий осаждения ведёт к формированию поликристаллического слоя. 13

Например, в методе молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) снижение температуры процесса уменьшает диффузию примеси из подложки и автолегирование, что позволяет получать качественные тонкие слои. 34