Рекомбинация электронов влияет на ток коллектора в транзисторе следующим образом: в области базы происходит процесс рекомбинации — небольшая часть инжектируемых носителей захватывается основными носителями базы — дырками, образуя ток базы Iб. 1 В процессе рекомбинации электроны переходят в валентную зону дырки, исчезает пара носителей заряда. 1

Основная часть электронов пересекает тонкую область базы, достигает коллекторного перехода и попадает в область коллектора — происходит экстракция носителей. 1 За счёт электрического поля обратно смещённого перехода база-коллектор прошедшие через базу электроны втягиваются в коллекторную область, то есть возникает ток коллектора. 2

Таким образом, рекомбинация электронов уменьшает количество носителей, доходящих до коллекторного перехода, что влияет на величину тока коллектора. 25